Номер детали производителя : | 1T6G R0G |
---|---|
Статус RoHS : | Без свинца / Соответствует RoHS |
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 |
Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | 1T6G R0G.pdf |
Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | 1T6G R0G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1 |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | 1T6G R0G.pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1V @ 1A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 800V |
Поставщик Упаковка устройства | TS-1 |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
упаковка | Tape & Reel (TR) |
Упаковка / | T-18, Axial |
Другие названия | 1T6G R0G-ND 1T6GR0G |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Уровень чувствительности влаги (MSL) | 1 (Unlimited) |
Стандартное время изготовления | 10 Weeks |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Диод Тип | Standard |
Подробное описание | Diode Standard 800V 1A Through Hole TS-1 |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5µA @ 800V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 1A |
Емкостной @ В.Р., F | 10pF @ 4V, 1MHz |
DIODE GEN PURP 300V 3A DO214AB
DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
1A, 800V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GP 1.6KV 600A POW-R-BLOK
DIODE SCHOTTKY 150V 1A PMDU
DIODE AVALANCHE 200V 1.6A TO277A
DIODE AVALANCHE 600V 3A SOD64
DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
DIODE GEN PURP 800V 1A TS-1
DIODE GEN PURP 50V 1A DO41